9月20日，由ABB与中国自动化学会联合主办的“2023 ABB杯智能技术创新大赛”圆满落下帷幕，颁奖仪式在中国国际工业博览会ABB展台现场举行。其中，在“变频器半导体温度预测AI建模挑战赛”中，共有5组队伍从来自全国51所院校的86支队伍、194人中入围决赛。经过现场答辩和多位专家的严格评审，最终，来自上海交通大学电子信息与电气工程学院自动化系王景成教授指导的甘子毅、吴舜禹同学荣获一等奖桂冠。
赛题背景
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）广泛应用于现代电力电子装置中，是其中最重要、也是容易失效的功率半导体器件。IGBT的可靠性在一定程度上决定了电力电子装置的整体可靠性。当变频器处理反复波动的负载功率时，IGBT芯片的温度（通常等效为芯片PN结的温度，简称结温）随之大幅波动。结温的波动会在IGBT内部产生热应力冲击，加速老化，造成IGBT失效。因此，IGBT结温的在线监测是变频器功率控制、IGBT寿命预测的先决条件。除寿命预测外，IGBT结温信息还有助于实现精确过温保护，这同样有助于提高变流器的可靠性，增加变流器的无故障服务时间。如何实现高精度、快响应的IGBT结温实时监测，成为近年来学术界与工业界的研究热点之一。
