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5SHX06F6004 集成栅极换向晶闸管 ABB

5SHX06F6004 集成栅极换向晶闸管 ABB 【产品详情】 部件号5SHX06F6004制造者ABB半导体 注意反向传导集成栅极换向晶闸管功能IGCT(集成栅极换向晶闸管直接光纤控制 快速响应(tdon < 3 μs,tdoff < 6 μs) 精确定时(tdoff < 800 ns) 获得专利的自由浮动硅技术 优化的低导通状态和开关损耗 极高的抗扰度 宇宙辐射耐受等级

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产品详情

5SHX06F6004 集成栅极换向晶闸管 ABB 

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【产品详情】

 

 


部件号 5SHX06F6004

制造者 ABB半导体 

注意 反向传导集成栅极换向晶闸管

功能 IGCT(集成栅极换向晶闸管

直接光纤控制 快速响应(tdon < 3 μs,tdoff < 6 μs) 精确定时(tdoff < 800 ns) 获得专利的自由浮动硅技术 优化的低导通状态和开关损耗 极高的抗扰度 宇宙辐射耐受等级


VDRM IDRM VDClink 重复峰值断态电压 重复峰值关状态电流 100 FIT 故障率的永久直流电压 3300 V VGR VD = VDRM VGR Tj 115 °C。 露天海平面的环境宇宙辐射。


安装力 杆件直径 外壳厚度 重量 IGCT 表面爬电距离 空击距离 长度 IGCT 高度 IGCT 宽度 IGCT


ABB瑞士半导体有限公司保留更改规格的权利,恕不另行通知。

伊塔姆 ITRMS ITSM 最大平均导通状态电流 最大有效值导通状态电流 最大峰值非重复浪涌电流 极限负载积分 导通电压 阈值电压 斜坡阻力 2.3 m


二/分频 吨 (最小值) Eon 最大导通状态电流上升率 导通延迟时间 上升时间 最小值,导通时间 每脉冲导通能量 220 A/μs °C 190 A/μs 3900 V di/dt = LCL =


ITGQM ITGQM2 tdoff tf toff (min) Eoff 最大可控关断电流 最大可控关断电流 关断延迟时间 下降时间 最小关断时间 每脉冲关断能量 μs 3J VDM VDRM TJ V VDRM 115 °C ITGQM VDM 1 μH VDRM 1 μH LCL VDM LI =


IFAVM IFRMS IFSM VF0 rF 最大平均导通状态电流 最大有效值导通状态电流 最大峰值非重复浪涌电流 极限负载积分 导通电压 阈值电压 斜坡阻力 5.8 m


di/dtcrit Irr Err 最大导通电流上升率 反向恢复电流 关断能量 220 A/μs Li = LCL μH 190 A/μs 115 °C VCL = VCL = di/dt Rs = 覆铜板 =


电源(见图 11) VGDC PGin 栅极单元电压 栅极单元功耗 20 ±0.5 VDC 16 W 无电源电路电气隔离。= 500 Hz, ITGQ = 0.9


X1 栅极单元电源连接器 万可,部件号 231-532/001-000 注 1 光控输入/输出 注3(见图11) 庞 CS 波夫 CS tGLITCH CS 光输入功率 光噪声功率 脉冲宽度阈值 用于命令信号的接收器 < -20 dBm 适用于 1mm 塑料光纤 -45 分贝 (POF) 500 ns 最大脉冲宽度(无响应)


 

5SHX06F6004 集成栅极换向晶闸管 ABB 

5SHX06F6004.jpg


英文介绍

 

 

Part No. 5SHX06F6004

Manufacturer ABB Semiconductor

Note the reverse conduction integrated grid commutator thyristor

Function IGCT (Integrated gate commutator thyristor)

Direct fiber control Fast response (tdon < 3 μs, tdoff < 6 μs) Precise timing (tdoff < 800 ns) Patented free-floating silicon technology optimized for low on-state and extremely high switching loss immunity to cosmic radiation tolerance levels


VDRM IDRM VDClink Repeated peak off state voltage Repeated peak Off state current 100 FIT failure rate Permanent DC voltage 3300 V VGR VD = VDRM VGR Tj 115 °C. Ambient cosmic radiation at open sea level.


Mounting force rod diameter Shell thickness Weight IGCT Surface creepage distance air strike distance length IGCT height IGCT width IGCT


ABB Semiconductor Switzerland reserves the right to change the specifications without prior notice.

Itam ITRMS ITSM Maximum average on-state current Maximum RMS on-state current Maximum peak non-repetitive surge current Limit Load Integral on-state voltage Threshold Voltage ramp resistance 2.3 m


Two/Frequency division ton (Min.) Eon Maximum on-state current rising rate On-state delay time Minimum on-state rising time, on-time On-state energy 220 A/μs °C 190 A/μs 3900 V di/dt = LCL =


ITGQM ITGQM2 tdoff tf toff (min) Eoff Maximum controllable turn-off current Maximum controllable turn-off current Turn-off delay time Descent time Minimum turn-off time Turn-off energy per pulse μs 3J VDM VDRM TJ V VDRM 115 °C ITGQM VDM 1 μH VDRM 1 μH LCL VDM LI =


IFAVM IFRMS IFSM VF0 rF Maximum average on-state current Maximum RMS on-state current Maximum Peak non-repetitive surge current Limit Load Integral on-state voltage Threshold Voltage ramp Resistance 5.8 m


di/dtcrit Irr Err Maximum on-current rise rate Reverse recovery current Off energy 220 A/μs Li = LCL μH 190 A/μs 115 °C VCL = VCL = di/dt Rs = Copper clad plate =


Power Supply (see Figure 11) VGDC PGin Grid unit Voltage Grid unit Power consumption 20 ±0.5 VDC 16 W No power circuit electrical isolation. = 500 Hz, ITGQ = 0.9


X1 grid unit power connector Wan Ke, Part No. 231-532/001-000 Note 1 Optical input/Output Note 3 (see Figure 11) Poncs Bov CS tGLITCH CS Optical input Power Optical noise power pulse width Threshold Receiver for command signals < -20 dBm Suitable for 1mm plastic fiber -45 Decibels (POF) 500 ns Max pulse width (no response)


 

5SHX06F6004 集成栅极换向晶闸管 ABB 

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