由于IGCT 5SHX1445H0001 3BHL000391P0101象IGBT那样具有快速开关功能，象GTO那样导电损耗低，在高压、大电流各种应用领域中可靠性更高。IGCT装置中所有元件装在紧凑的单元中,降低了成本。IGCT采用电压源型逆变器，与其他类型变频器的拓扑结构相比，结构更简单，效率更高。对于4.16kV的变频器，逆变器中需要24个高压IGBT，如使用低压IGBT，则需60个，而同类型变频器若采用IGCT，则只需12个。
优化的技术只需更少的元件，相同电压等级的变频器采用IGCT的数量只需低压IGBT的五分之一。并且，由于IGCT损耗很小，所需的冷却装置较小，因而内在的可靠性更高。更少的元件还意味着更小的体积。因此，使用IGCT 5SHX1445H0001 3BHL000391P0101的变频器比使用IGBT的变频器简洁、可靠性高。
尽管IGCT 5SHX1445H0001 3BHL000391P0101 变频器不需要限制du/dt的缓冲电路，但是IGCT本身不能控制di/dt(这是IGCT的主要缺点)，所以为了限制短路电流上升率，在实际电路中常串入适当电抗。整套逆变器由11个元器件组成：6个IGCT(带集成反向二极管)，1个电抗，1个钳位二极管，1个钳位电容和1个电阻，一套门极驱动电源。一套3MVA的逆变器外形尺寸仅为780mmx590rnmx333mm，结构紧凑，并且元器件数少、可靠性高、成本低。
有效硅面积小、低损耗、快速开关这些优点保证了IGCT 5SHX1445H0001 3BHL000391P0101 能可靠、高效地用于300 kVA～10MVA变流器，而不需要串联或并联。在串联时，逆变器功率可扩展到100MVA。虽然高功率的IGBT模块具有一些优良的特性，如能实现di/dt和dv/dt的有源控制、有源箝位、易于实现短路电流保护和有源保护等。但因存在着导通损耗高、硅有效面积利用率低、损坏后造成开路以及无长期可靠运行数据等缺点，限制了高功率IGBT模块在高功率低频变流器中的实际应用。因此在大功率MCT问世以前，IGCT可望成为高功率高电压变灯。
