ABB 5SHY3545L0016 3BHB019719R0101 IGCT 设备功率半导体

5SHY3545L0016 3BHB019719R0101 IGCT 设备主要由功率半导体封装在坚固、低电感的压装外壳中，并带有集成的栅极单元。这种类型的半导体以其高功率密度、出色的性能和几乎不老化而著称。设备额定电压范围从 2.5 kV 级到 10 kV 级。关断电流可达 5 kA 甚至更高。

5SHY3545L0016 3BHB019719R0101 IGCT的类型

5SHY3545L0016 3BHB019719R0101 IGCT 功率半导体根据其阻断能力分为三种主要变体：

非对称IGCT

反导IGCT

反向阻断IGCT

非对称IGCT

顾名思义，这种类型的 5SHY3545L0016 3BHB019719R0101 IGCT 的特点是其不对称阻断能力取决于电压极性。

在正向操作中，该设备提供传统晶闸管已知的完全阻断能力。反向阻断能力仅限于相对较低的电压 (~ 20 V)。因此，IGCT 通常与反并联二极管一起使用。最常见的应用是电压源逆变器.

反导IGCT

5SHY3545L0016 3BHB019719R0101 IGCT 的这种变体类似于不对称的。但是，反并联二极管集成在 IGCT 内部。主要应用又是在电压源逆变器中。

反向导通 IGCT (RC IGCT) 可用于与非对称型相同的额定电压。最大额定电流略低于非对称模型，这是二极管集成的逻辑结果(与其他半导体技术相比，额定电流仍然非常出色)。

反向阻断IGCT

最后一种是反向阻断 IGCT。该装置具有全正向和全反向阻断能力。这种行为使半导体非常适合电流源逆变器或现代固态断路器。