ABB 5SHY35L4510 集成门极换流晶闸管IGCT(Integrated Gate Commutated Thyristor)是1996年问世的一种新型半导体开关器件。该器件是将门极驱动电路与门极换流晶闸管GCT集成于一个整体形成的。门极换流晶闸管GCT是基于GTO结构的一种新型电力半导体器件，它不仅有与GTO相同的高阻断能力和低通态压降，而且有与IGBT相同的开关性能，即它是GTO和IGBT相互取长补短的结果，是一种较理想的兆瓦级、中压开关器件，非常适合用于6kV和10kV的中压开关电路。ABB 5SHY35L4510 IGCT芯片在不串不并的情况下，二电平逆变器容量0.5M～3MVA，三电平逆变器1M～6MVA。若反向二极管分离，不与IGCT集成在一起，二电平逆变器容量可扩至4.5MVA，三电平扩至9MVA，现在已有这类器件构成的变频器系列产品。目前，IGCT已经商品化，ABB公司制造的IGCT产品的最高性能参数为4.5kV/4kA，最高研制水平为6kV/4kA。
ABB 5SHY35L4510 IGCT与GTO相似，也是四层三端器件，GCT内部由成千个GCT组成，阳极和门极共用，而阴极并联在一起。与GTO的重要差别是GCT阳极内侧多了缓冲层，以透明(可穿透)阳极代替GTO的短路阳极。其导通机理与GTO一样，但关断机理与GTO完全不同。在GCT的关断过程中，GCT能瞬间从导通转到阻断状态，变成一个PNP晶体管以后再关断，所以，它无外加du/dt限制;而GTO必须经过一个既非导通又非关断的中间不稳定状态进行转换，即"GTO区"，所以GTO需要很大的吸收电路来抑制重加电压的变化率du/dt。阻断状态下GCT的等效电路可认为是一个基极开路、低增益PNP晶体管与门极电源的串联。
ABB 5SHY35L4510 GCT无中间区、无缓冲关断的机理在于，强关断时可使它的阴极注入瞬时停止，不参与以后过程。改变器件在双极晶体管模式下关断，前提是在P基N发射结外施加很高负电压，使阳极电流很快由阴极转移(或换向)至门极(门极换向晶闸管即由此得名)，不活跃的NPN管一停止注入，PNP管即因无基极电流容易关断。GCT成为PNP管早于它承受全阻断电压的时间，而GTO却是CR转态下承受全阻断电压的，所以GCT可像IGBT无缓冲运行，无二次击穿，拖尾电流虽大但时间很短。
GCT模块（集成门极换向晶闸管）：
IGCT是一种新型的大功率器件，这个产品是对门极可关断晶闸管GTO的改进和完善，它集成了许多优良的特性：具有驱动比为1：1的光触发功能、RC吸收和保护功能，可串联应用，有极低的导通损耗和抗辐射能力快速响应和准确定时等。
ABB半导体公司生产的IGCT规格有非对称型、反向阻断型、反向导通型三种类型，共14种规格。比较成功地用于6000V高压变频调速设备中(如:ABB ACS1000装置)。
非对称型：
5SHY 35L4510 5SHY 35L4511 5SHY 35L4512 5SHY 35L4560
5SHY 55L4500 5SHY 50L5500 5SHY 42L6500 5SHY 30L6010
反向阻断型：
5SHZ 08F6000
反向导通型：
5SHX 04D4502 GCT 5SHX 08F4510 GCT 5SHX 14H4510 GCT 5SHX 26L4510 GCT
5SHX 03D6004 GCT 5SHX 06F6010 GCT 5SHX 10H6010 GCT 5SHX 19L6010 GCT
