5SHY4045L0004 3BHB021400R0002 双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。由于主电极的构造是对称的(都从N层引出)，所以它的电极不像单向5SHY4045L0004 3BHB021400R0002 可控硅那样分别叫阳极和阴极，而是把与控制极相近的叫做第一电极A1，另一个叫做第二电极A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，必须采取相应的保护措施。双向可控硅元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。
5SHY4045L0004 3BHB021400R0002 可控硅在维持电流以上一直处于开通状态，关断电流高，控制困难，关断速度较慢。逆变环节中，在LCI(负载换相逆变器)中SCR具有优异表现，可做到超大功率，电压高、电流也大。二极管(Diode，不可控整流器件)和SCR(半可控)整流均不需要PMW即可满足两象限变频器工作，PWM需要用IGBT(全控)等器件。
5SHY4045L0004 3BHB021400R0002 IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进展，给电力电子成套装置带来了新的飞跃。IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。5SHY4045L0004 3BHB021400R0002 IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点，而且造成本低，成品率高，有很好的应用前景。 已用于电力系统电网装置(100MVA)和的中功率工业驱动装置(5MW)IGCT在中压变频器领域内成功的应用了11年的时间(到09年为止)，由于IGCT的高速开关能力无需缓冲电路，因而所需的功率元件数目更少，运行的可靠性大大增高。
二极管加在集电极和发射极之间，主要用于续流，同时由于负载存在感性，IGBT关断瞬间会在5SHY4045L0004 3BHB021400R0002 IGBT两端产生极高的自感反相电压，此电压可能击穿IGBT。并联的二极管将这个“自感反相电压”短路掉了，起到保护IGBT的作用。
