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ABB 5SHY4045L0006 3BHB030310R0001 3BHE039203R0101 GVC736CE101 双向可控硅

5SHY4045L0006 3BHB030310R0001 3BHE039203R0101 GVC736CE101 实质上是两个反并联的单向可控硅,是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。由于主电极的构造是对称的(都从N层引出),所以它的电极不像单向可控硅那样分别叫阳极和阴极,而是把与控制极相近的叫做第一电极A1,另一个叫做第二电极A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上

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5SHY4045L0006 3BHB030310R0001 3BHE039203R0101 GVC736CE101 实质上是两个反并联的单向可控硅,是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。由于主电极的构造是对称的(都从N层引出),所以它的电极不像单向可控硅那样分别叫阳极和阴极,而是把与控制极相近的叫做第一电极A1,另一个叫做第二电极A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为5SHY4045L0006 3BHB030310R0001 3BHE039203R0101 GVC736CE101 双向可控硅在一个方向导通结束时,硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置,必须采取相应的保护措施。5SHY4045L0006 3BHB030310R0001 3BHE039203R0101 GVC736CE101 双向可控硅元件主要用于交流控制电路,如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。可控硅在维持电流以上一直处于开通状态,关断电流高,控制困难,关断速度较慢。逆变环节中,在LCI(负载换相逆变器)中SCR具有优异表现,可做到超大功率,电压高、电流也大。二极管(Diode,不可控整流器件)和SCR(半可控)整流均不需要PMW即可满足两象限变频器工作,PWM需要用IGBT(全控)等器件。

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5SHY4045L0006 3BHB030310R0001 3BHE039203R0101 GVC736CE101 IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进展,给电力电子成套装置带来了新的飞跃。IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起,再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接,结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点,在导通阶段发挥晶闸管的性能,关断阶段呈现晶体管的特性。5SHY4045L0006 3BHB030310R0001 3BHE039203R0101 GVC736CE101 IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点,而且造成本低,成品率高,有很好的应用前景。 已用于电力系统电网装置(100MVA)和的中功率工业驱动装置(5MW)IGCT在中压变频器领域内成功的应用了11年的时间(到09年为止),由于IGCT的高速开关能力无需缓冲电路,因而所需的功率元件数目更少,运行的可靠性大大增高。

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5SHY4045L0006 3BHB030310R0001 3BHE039203R0101 GVC736CE101 二极管加在集电极和发射极之间,主要用于续流,同时由于负载存在感性,IGBT关断瞬间会在IGBT两端产生极高的自感反相电压,此电压可能击穿IGBT。并联的二极管将这个“自感反相电压”短路掉了,起到保护IGBT的作用。

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