IGCT 5SHY5045L0020 5SXE10-0181 AC10272001R0101 在整流环节中与SCR一脉相承，SCR是silicon Controlled Rectifier的缩写，是可控硅整流器的简称。可控硅5SHY5045L0020 5SXE10-0181 AC10272001R0101 有单向、双向、可关断和光控几种类型。5SHY5045L0020 5SXE10-0181 AC10272001R0101 具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件，与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制，与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。
双向可控硅5SHY5045L0020 5SXE10-0181 AC10272001R0101 具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。5SHY5045L0020 5SXE10-0181 AC10272001R0101 由于主电极的构造是对称的(都从N层引出)，所以它的电极不像单向可控硅那样分别叫阳极和阴极，而是把与控制极相近的叫做第一电极A1，另一个叫做第二电极A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控砖在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，必须采取相应的保护措施。双向可控硅元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。可控砖在维持电流以上一直外于开通状态，关断电流高，控制闲难，关断速度较慢。逆变环节中，在LCI(负载换相逆变器)中SCR具有优异表现，可做到超大功率，电压高、电流也大。二极管 (Diode，不可控整流器件)和SCR (半可控)整流均不需要PMW即可满足两象限变频器工作，PWM需要用IGBT (全控) 等器件。
5SHY5045L0020 5SXE10-0181 AC10272001R0101 IGCT集成门极换流晶闸管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一种中压变频器开发的用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体开关器件(集成门极换流晶闸管=门极换流晶闸管+门极单元)。1997年由ABB公司提出。IGCT 5SHY5045L0020 5SXE10-0181 AC10272001R0101 使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本重量和体积等方面都取得了巨大进展，给电力电子成套装置带来了新的飞跃。IGCT 5SHY5045L0020 5SXE10-0181 AC10272001R0101 是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点，而且造成本低，成品率高，有很好的应用前景。已用于电力系统电网装置 (100MVA)和的中功率工业驱动装置(5MW)GCT在中压变频器领域内成功的应用了11年的时间(到09年为止)，由于IGCT的高速开关能力无需缓冲电路，因而所需的功率元件数目更少，运行的可靠性大大增高。
